تکنولوژی فونوتیک Hybrid FinFET-Silicon

تکنولوژی فونوتیک Hybrid FinFET-Silicon برای I/O های نوری با قدرت بسیار پایین

گروهImec ، جهت دستیابی به توان بسیار پایین و گیرنده ی نوری با پهنای باند بالا را بوسیله ی یکپارچه سازی هایبرد برای فوتونیک سیلیکون و تکنولوژی FinFET CMOS، نشان داده است.

در کار ارائه شده، یک محرک دیفرانسیل FinFET با ماژولار حلقه ای فوتونیک سیلیکون طوری با هم به صورت مشترک طراحی شده اند که به ماژولاسیون نوری  40Gb/s NRZ و توان مصرفی پویای  154fj/bit، دست یافته اند. گیرنده ی شامل آمپلی فایر ترانز-امپدانس که برای عملکرد با موج GE فتودیود بهینه سازی شده اند، قادر به شناسایی عکس 40Gb/s با حساسیت برآورد شده ی -10dbm درتوان مصرفی 75fj/bit، می باشد. همچنین انتقال و ارسال اطلاعات با کیفیت بالا در آزمایش لوپ بک با موج 1330nm روی فیبر تک حالت استاندارد با حاشیه ی ارتباطی 2db نشان داده شده است. در نهایت، فرستنده ی چند منظوره ی تقسیم طول موج 4*40Gb/s,0.1mm2 با کنترل حرارتی یکپارچه نشان داده شده است و پهنای باند با بیش از 100Gb/s را برای هر فیبر فراهم می سازد.گروهImec ، جهت دستیابی به توان بسیار پایین و گیرنده ی نوری با پهنای باند بالا را بوسیله ی یکپارچه سازی هایبرد برای فوتونیک سیلیکون و تکنولوژی FinFET CMOS، نشان داده است.

جوریس ون کمپن هوت ، مدیر R&D  برنامه ی I/O های نوری در imec، اظهار می دارد: "اساس hybrid FinFET-silicon  فوتونیک نشان داده شده، جریانات FDinFET CMOS به همراه عملکرد بالای 14nm را با تکنولوژی فوتونیک سیلیکون 300mm Imec که شامل ظرفیت کم و ضعیف مس  می باشد، یکپارچه می کند. طراحی مشترک دقیق در این بنیاد ترکیبی ما را به ارائه ی گیرنده های نوری 40Gb/s  با مصرف انرژی کم و تراکم پهنای باند بالا قادر می سازد".

این کار به عنوان بخشی از برنامه ی R&D، و به خاطر وابستگی صنعتی Imec به I/O های نوری انجام و در روزنامه ی "  Late News" مصادف با جون سال 2018 در سمپوزیون مربوط به مدارها و تکنولوژی VLSI ارائه شده است.

 

 

 

 

پیگیری اخبار